Conception d’un circuit d’extraction des caractéristiques de commutation des transistors SiCMOS et GaN

Avec l’avènement des véhicules électriques et les énergies photovoltaïques sur les réseaux électriques, il est maintenant requis de convertir l’énergie sous différentes formes. Cette conversion s’effectue par l’utilisation de convertisseurs de puissance qui permettent de relier les différents éléments sur le réseau (batteries d’auto, cellules photovoltaïques,…) Comme élément de contrôle principal, ces convertisseurs utilisent des semi-conducteurs de puissance. En fonction du type de semi-conducteur utilisé, il est possible de réduire substantiellement la taille du convertisseur tout en augmentant son efficacité. Depuis quelques années, des nouveaux types de semi-conducteurs de puissance à faibles pertes sont apparus sur le marché (les GaN et les SiCMOS.) Puisqu’il s’agit de technologies récentes, il est important de bien comprendre les caractéristiques de ces dispositifs. L’objectif de ce projet est donc de développer une approche permettre d’effectuer la caractérisation des différents produits commerciaux basés sur ces semi-conducteurs.

Intern: 
Yan Bérubé
Superviseur universitaire: 
Handy Fortin Blanchette
Project Year: 
2019
Province: 
Quebec
Secteur: 
Programme: