Optimisation de procédé de gravure plasma à haut rapport d’aspect pour des applications optoélectroniques

Ce projet de stage porte sur l’optimisation d’un procédé de gravure plasma à haut rapport d’aspect appliqué à la fabrication de nouveaux lasers à semi-conducteurs multi-jonctions. Ces dispositifs, basés sur des matériaux III-V tels que GaAs et AlGaAs, nécessitent des structures profondément gravées et parfaitement contrôlées afin d’assurer un confinement optique efficace, une gestion thermique optimale et des performances élevées en régime pulsé. La gravure plasma, en particulier via des procédés ICP-RIE, représente une étape critique car elle doit produire des parois verticales, lisses et exemptes de résidus, tout en préservant les couches sensibles sous-jacentes. Or, atteindre de tels profils dans des matériaux III-V demeure un défi technologique en raison des interactions complexes entre chimie du plasma, passivation des parois, énergie ionique et conditions opératoires. Ce projet de stage vise à identifier et optimiser les fenêtres de procédé permettant d’obtenir des structures anisotropes et reproductibles adaptées aux lasers multi-jonctions. L’enjeu scientifique est de mieux comprendre les mécanismes physico-chimiques gouvernant la gravure, tandis que l’enjeu industriel est d’améliorer la fiabilité et les performances de lasers avancés pour les télécommunications, la photonique et d’autres applications stratégiques.

Faculty Supervisor:

Gwenaëlle Hamon

Student:

Partner:

Aix-Marseille Université

Discipline:

Engineering

Sector:

Education

University:

Université de Sherbrooke

Program: