Caractérisation des défauts électriquement actifs dans des HEMTs GaN N-OFF

La dernière décennie a vu une formidable évolution dans les domaines de la science et de la technologie liés à la tous les aspects de notre vie tels que les télécommunications, l’automobile, le divertissement, le confort et la sécurité, grâce à la révolution des dispositifs micro et nanoélectroniques. En particulier, une progression de la technologie à base de semiconducteur quasi-exponentielle et une miniaturisation associée ont été observées. L’une des technologies clés rendant cette évolution possible était le transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor), présenté pour la première fois en 1993 par Khan, à base de Nitrure de Gallium (GaN) montrant un potentiel et des performances exceptionnels, comparés à leurs homologues à base d’autres matériaux, en termes de puissance élevée, de haute fréquence et à haute température.
Grâce à leur gaz bidimensionnel d’électrons (2DEG) de forte densité (>1013 cm-2) et de haute mobilité (~1500cm2/Vs) ainsi qu’à leur champ de claquage très élevé (>=3MV/cm), Les HEMTs AlGaN/GaN sont très prometteurs pour l’électronique de puissance et de haute fréquence tel que les convertisseurs de puissance, les commutateurs de puissance et les amplificateurs haute fréquence.

Faculty Supervisor:

Ali Soltani

Student:

Partner:

Université de Tunis El Manar

Discipline:

Engineering

Sector:

Education

University:

Université de Sherbrooke

Program: