Croissance in situ dans un microscope électronique à transmission de germanium et d’arsenic de gallium sur couches de graphène mono et multi-feuillets

Le projet porte sur la croissance in-situ de germanium et de GaAs sur membranes de carbones (graphene). Ces croissances seront réalisées dans le microscope électronique en transmission « Nanomax ». Le but du travail est d’étudier la germination initiale de ces deux semi-conducteurs sur membrane de graphene. Il s’agira, précisément, d’étudier les processus de germination/ croissance du germanium et de l’arséniure de gallium sur des membranes de graphène suspendues. Nous étudierons les relations d’orientations entre le semi-conducteur et les couches de carbone en fonction des conditions de croissance. Avec cette étude, nous visons à déterminer le mécanisme d’interaction entre les matériaux semi-conducteurs 3D et la surface des matériaux 2D lors de la croissance cristalline mais aussi à diminuer le coût élevé des substrats non-silicium en effectuant le transfert de ces couches cristallines. TO BE CONT’D

Faculty Supervisor:

Abderraouf Boucherif

Student:

Partner:

Université Paris Saclay

Discipline:

Engineering

Sector:

Nanotechnology; Green/Alternative Energy; Oil and Gas; Quantum Science

University:

Université de Sherbrooke

Program: