Développement de procédés de dépôt par couches atomiques pour la passivation des semiconducteurs – application aux technologies photovoltaïques

Les performances des dispositifs opto-électroniques tels que les cellules photovoltaïques ou les photo transducteurs sont intrinsèquement liées aux vitesses de recombinaison des porteurs de charge sur les surfaces. Ceci est d’autant plus important que les couches actives sont fines, et que les dimensions des dispositifs sont réduites. Pour réduire les vitesses de recombinaison, il est nécessaire de passiver ces surfaces, par exemple par des dépôts de matériaux diélectriques.

Au LN2, nous développons plusieurs technologies de composants optoélectroniques pour lesquels ces problématiques sont dominantes :

Des cellules solaires triple jonctions sub-millimétriques, pour lesquelles les flancs des matériaux III-V (InGaP, InGaAs) et du germanium doivent être passivés.
Des cellules solaires triple jonctions sur film minces : ces cellules sont formées sur des films de germanium ultraminces dont la surface doit être passivée
Des phototransducteurs VEHSA isolés par plasma, et donc les flancs (principalement en GaAs) doivent être passivés.
Dans ce stage, nous proposons de développer des procédés de dépôt par couche atomique (ALD) permettant de passiver la surface des semiconducteurs, et donc de réduire les vitesses de recombinaison des porteurs de charge…

Faculty Supervisor:

Maxime Darnon

Student:

Partner:

Université Grenoble Alpes

Discipline:

Earth science

Sector:

Education

University:

Université de Sherbrooke

Program: