Analyse et conception d’un circuit d’extraction des caractéristiques dynamiques des transistors SiC et GaN avec optimisation des éléments parasites

Les technologies à semi-conducteurs de puissance évoluent rapidement. Ces technologies se retrouvent dans différentes applications telles l’aéronautique et le transport terrestre. Elles permettent d’obtenir des rendements élevés et permettent de minimiser le poids des divers composants des convertisseurs d’énergie. Toutefois, afin d’optimiser les bénéfices apportés par ces nouvelles technologies, il est important de bien comprendre leur mécanisme de fonctionnement et particulièrement lorsqu’ils commutent (change d’état.) Ce projet de recherche a pour objectif de développer un module permettant l’extraction des grandeurs liées à ce changement d’état. Ces résultats expérimentaux permettront une quantification directe des grandeurs en plus de permettre de valider des nouvelles méthodes analytiques développées dans des travaux précédents. Le succès de ce projet de recherche permettra à l’entreprise impliquée de mieux comprendre ces nouvelles technologies et de rendre ses choix technologiques en la matière mieux appuyés.

Faculty Supervisor:

Handy Fortin-Blanchette

Student:

Partner:

Institut de Recherche Hydro-Québec

Discipline:

Engineering

Sector:

Professional, scientific and technical services; Utilities

University:

École de technologie supérieure

Program: